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本发明公开一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过选择性氧化处理在源漏区与衬底之间形成隔离层，以抑制源漏区漏电，具有成本低，制作工艺简单的优点。所述鳍状半导体器件包括：衬底以及形成在衬底上的鳍式场效应晶体管；鳍式场...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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