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一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成低质量双面AlN模板；将得到的双面沉积的低质量AlN模板放入高温设备中进行...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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