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一种AlN图形模板的制备方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；在所述衬底上沉积一层AlN薄膜，形成低质量AlN模板；在所述低质量AlN模板上形成微、纳米级图案，制作成低质量AlN图形模板；将得到的所述低质量AlN图形模板放入高温退火设备中进行...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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