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本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括一个以上的环单元，所述环单元包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置多数个槽，每一槽底对应设置与所述半导体衬底相异导电类型的浮空区。所述多数个槽内部设置导电材料，通过第一绝缘介质而与所述半导体...
该专利属于南京芯舟科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京芯舟科技有限公司授权不得商用。

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