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本发明是关于一种具有改善栅极漏电流的半导体器件，其包含：衬底；第一氮化物半导体层，位于衬底上方；第二氮化物半导体层，位于第一氮化物半导体层上方且具有大于第一氮化物半导体者的能隙；及源极接触及漏极接触，位于第二氮化物半导体层上方；经掺杂第三氮...
该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。

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