温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：具有第一有源区和第二有源区的衬底；分别在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别延伸跨过第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一有源图案和第一栅电极之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。