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本申请是一种元胞结构及其应用的半导体器件，所述元胞结构包括半导体衬底及其上方的外延层。衬底与外延层之间设置多个浮空区。外延层顶端设置多数个槽单元，槽单元底设置对应的载流子势垒区，以与浮空区作用形成屏蔽区，槽内设置导电材料。源体区设置于相邻槽...
该专利属于南京芯舟科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京芯舟科技有限公司授权不得商用。

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