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本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，所述结边缘区包括一个以上的环单元，其包括在外延层上设置的多数个槽，邻接槽底的第一浮空区，及半导体衬底与外延层之间的第二浮空区。所述多数个槽内...
该专利属于南京芯舟科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京芯舟科技有限公司授权不得商用。

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