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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，由于在本发明提供的半导体结构的形成方法中，在初始干法刻蚀回刻蚀所述栅极结构侧壁上阻挡介质层的刻蚀量少的基础上，通过对形成在所述栅极结构侧壁上的所述阻挡介质层执行多次刻蚀工艺，实现逐步去除所述栅极结构侧壁...
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