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本文公开了用于形成3D集成布线结构的方法和结构的实施例。所述方法可以包括在第一基板的正面上形成绝缘层；在所述绝缘层的正面上形成半导体层；图案化所述半导体层以暴露所述绝缘层的至少一部分表面；在所述第一基板的正面上形成复数个半导体结构，其中所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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