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本文公开了一种低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管(FET)和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FE...
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