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本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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