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描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层，并且第...
该专利属于三星电子株式会社;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;国际商业机器公司授权不得商用。

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