具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物制造技术

描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层，并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru

【技术实现步骤摘要】
具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物相关申请的交叉引用本申请要求于2019年2月8日提交至美国专利商标局的美国专利申请No.16/271,721的权益，其全部公开内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及磁性随机存取存储器(MRAM)领域，并且更具体地说，涉及依靠自旋转移矩、赛道存储器和硬盘存储的MRAM装置。
技术介绍
Heusler化合物是一类具有代表性公式X2YZ的材料，其中X和Y是过渡金属或镧系元素，并且Z来自主族元素。由于X(或Y)和Z之间的化学区分，它们形成通过其中四个面心立方结构互相渗透的空间群对称L21(或者D022(当它们为四方扭曲时))定义的唯一结构。Heusler化合物的属性强烈依赖于组成化合物的元素的有序化。因此，制造高质量Heusler膜通常需要高温热处理，例如，在明显高于室温的温度下沉积和/或在高温(400℃或更高)下热退火。
技术实现思路
本文公开了由非磁性模板间隔件层分离的高度纹理化(外延)、非常光滑、高质量的Heusler化合物超薄双层膜，其可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性器件，包括：/n多层结构，其包括：/n第一层，其包括第一磁性Heusler化合物；/n第二层，其在室温下为非磁性的，所述第二层如下：接触和覆盖所述第一层；并且包括Ru以及至少一种其它元素E二者，其中所述第二层的成分表示为Ru

【技术特征摘要】
20190208 US 16/271,7211.一种磁性器件，包括：
多层结构，其包括：
第一层，其包括第一磁性Heusler化合物；
第二层，其在室温下为非磁性的，所述第二层如下：接触和覆盖所述第一层；并且包括Ru以及至少一种其它元素E二者，其中所述第二层的成分表示为Ru1-xEx，x在从0.45至0.55的范围内；以及
第三层，其接触和覆盖所述第二层，所述第三层包括第二磁性Heusler化合物。


2.根据权利要求1所述的器件，其中，x在从0.47至0.53的范围内。


3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一层和所述第三层的磁矩分别实质上与所述第二层与所述第一层之间的界面以及所述第二层与所述第三层之间的界面垂直。


4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一层和所述第三层各自的厚度小于5nm。


5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二层的厚度在至的范围内。


6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述第一层和所述第三层的磁矩实质上彼此反向平行。


7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一磁性Heusler化合物和所述第二磁性Heusler化合物独立地选自由Mn3.1-xGe、Mn3.1-xSn和Mn3.1-xSb组成的组，对于Mn3.1-xSb而言，x在从0至1.1的范围内，对于Mn3.1-xGe和Mn3.1-xSn而言，x在从0至0.6的范围内。


8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一磁性Heusler化合物和/或所述第二磁性Heusler化合物是三元Heusler化合物。


9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述三元Heusler化合物为Mn3.1-xCo1.1-ySn，其中x≤1.2，并且y≤1.0。


10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一层和所述第三层的磁矩分别实质上与所述第二层和所述第一层之间的界面以及所述第二层和所述第三层之间的界面平行。


11.根据权利要求1所述的器件，其中，E包括选自由AlSn、AlGe、AlGa...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在佑，斯图尔特·S·P·帕金，希拉格·加尔各，马赫什·G·萨曼特，帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波，亚里·费兰特，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR