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一种集成电路结构包括下部器件层，所述下部器件层包括第一结构，所述第一结构包括多个PMOS晶体管。在下部器件层上形成上部器件层，其中上部器件层包括第二结构，所述第二结构包括具有III‑V族材料源极/漏极区的多个NMOS晶体管。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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