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一种低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×10...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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