温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种利用聚合物隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺，包括以下步骤：S1、在硅片基板上蚀刻出第一沟槽；S2、将初加工晶体管进行氧化操作，在第一沟槽的内侧壁生成氧化硅保护层；S3、以旋转涂布方法，在第一沟槽的氧化硅保护层上沉积形成有机硅...
该专利属于绍兴同芯成集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴同芯成集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。