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本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，在掩膜层上形成保护层，位于上层的保护层具有比下层的掩膜层更高的刻蚀选择比，因此掩膜层在图案化的过程中，保护层对掩膜图形的上部开口尺寸进行了限制，避免掩膜图形的上部开口被错误的扩大导致的掩膜图形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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