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公开了具有屏蔽层的三维(3D)存储器器件的实施例和用于形成3D存储器器件的方法。在示例中，3D存储器器件包括衬底、设置在衬底上的外围器件、均在外围器件上竖直地延伸的多个存储器串、设置在多个存储器串上方并与多个存储器串接触的半导体层、以及设置...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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