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本发明提供一种集成半导体器件及其制作方法、以及半导体器件，该制作方法包括：提供多个芯片，每个芯片包括上下层叠设置的衬底和集成电路层；在每个芯片中的所述集成电路层上形成嵌入有导电块的导热层；将多个芯片中的第二个芯片上下倒置叠加在第一个芯片上；...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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