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一种半导体器件包括：衬底上沿第一方向延伸的有源区；衬底上与有源区相交并沿第二方向延伸的栅结构；以及在栅结构的至少一侧的有源区上的源/漏区，其中源/漏区包括：在第一方向上彼此间隔开的多个第一外延层，该多个第一外延层包括第一导电类型的第一杂质；...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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