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描述了具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构，以及使用自下而上氧化途径制备具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括衬底上方的纳米线竖直布置。纳米线竖直布置具有在一个或多个氧化纳米线上方的一个或多个有源...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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