温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了具有削减沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构和使用多种自下而上氧化途径来制备具有削减沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括纳米线竖直布置。纳米线竖直布置的所有纳米线是氧化物纳米线。栅极堆叠在纳米线竖直布置之上、...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。