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提供了一种三维(3D)存储器件及其制造方法。该方法包括如下步骤。在衬底上形成交替电介质叠层。形成在垂直方向上穿过交替电介质叠层的垂直结构。去除所述交替电介质叠层的底部电介质层。在去除所述底部电介质层之后，在所述衬底和所述交替电介质叠层之间形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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