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本申请提供了一种一体结构的制作方法、半导体器件的制作工艺、一体结构和半导体器件。该方法包括：提供预备基底；采用金属辅助化学刻蚀工艺对预备基底进行刻蚀，形成一体结构，一体结构包括基底和位于基底上的多个间隔的条状部。该方法形成的条状部的高度均一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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