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本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括：步骤一、在衬底上形成外延层；步骤二、在第一主面上淀积ONO结构；步骤三、刻蚀形成沟槽；步骤四、去除第二氧化层；步骤五、在沟槽内形成第三氧化层；步骤六、在沟槽内形成分离栅多晶硅；步骤七、去除...
该专利属于捷捷微电(上海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电(上海)科技有限公司授权不得商用。

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