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本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法，第一导电类型的衬底及位于衬底上的第一导电类型的外延层，在外延层的上部设有第二导电类型的阱区，在阱区间设有控制栅沟槽，控制栅沟槽底部设有分离栅沟槽，分离栅沟槽内填充有分离栅多晶硅以及包裹分离栅多...
该专利属于捷捷微电(上海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电(上海)科技有限公司授权不得商用。

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