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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底上方交替堆叠的字线层和绝缘层的堆叠；以及形成于堆叠的第一阵列区和第二阵列区中的沟道结构。置于堆叠的相对侧的第一阵列区和第二阵列区。第一阶梯形成于衬底上方的堆叠的连接区中。连接区布置于第一和第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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