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提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，具有第一区域和第二区域；多个第一沟道层，在第一半导体层的第一区域上沿垂直方向彼此隔开；第一栅电极，围绕所述多个第一沟道层；多个第二沟道层，在第一半导体层的第二区域上沿垂直方向...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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