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本发明提供了一种三维存储器、CMOS晶体管及其制造方法。上述CMOS晶体管结构包括衬底、形成在衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的衬底内的源极和漏极，上述的CMOS晶体管还包括至少覆盖所述栅极、源极、漏极的叠层封装结构，所述叠层封装结构中的一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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