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本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供待刻蚀材料层；于待刻蚀材料层的表面形成第一掩膜层；得到包括图形化区域的第一图形化掩膜层，图形化区域内包括若干个间隔排布的图形结构；于图形结构的表面、相邻图形结构的间隙底部及第一图形化掩膜...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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