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本发明公开了一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括p‑InGaN衬底、ZnO:Ga微米线，p‑InGaN衬底上制备有合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线紧贴在p‑InGaN衬底上，且不接触合金薄膜电极，ZnO:Ga...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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