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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。半导体器件包括衬底、半导体层、源极、漏极和栅极结构，半导体层制作于衬底，源极、漏极和栅极结构制作于半导体层远离衬底的一侧，半导体层包括势垒层，势垒层通过设置凹槽，基于凹槽制作栅极结...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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