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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层包括依次位于衬底一侧的缓冲层、沟道层和势垒层；位于多层半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；位于多层半导体层...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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