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三维非易失性存储器装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:24803107
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三维非易失性存储器装置及其制造方法。一种半导体装置,其包括具有多个存储器串的存储块,多个存储器串中的每一个包括一个或更多个虚设晶体管,其中,根据每个存储器串的结交叠,包括在多个存储器串中的每个虚设晶体管被编程为不同的程度。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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