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具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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下载具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法的技术资料
文档序号:24803089
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一种半导体装置包括衬底的第一区中的第一鳍型图案。第一鳍型图案包括具有由第一沟槽限定的对应的侧壁的多个间隔开的鳍。提供了与第一鳍型图案交叉的第一栅极结构。第二鳍型图案设置在衬底的第二区中。第二鳍型图案包括具有由第二沟槽限定的侧壁的鳍。提供了与...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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