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本文的实施例描述用于包括在第二晶体管上方所堆叠并且与其自对齐的第一晶体管的半导体装置的技术，其中第一晶体管的阴影与第二晶体管基本上重叠。第一晶体管包括：第一栅电极；第一沟道层，所述第一沟道层包括第一沟道材料，并且所述第一沟道层通过第一栅介电...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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