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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一气隙区、一覆盖层以及一绝缘层。该气隙区配置在该半导体基底中。该覆盖层配置在该气隙区上。该绝缘层配置在该半导体基底上，且部分地环绕该覆盖层。...
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