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本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法。抑制了半导体器件的可靠性的劣化。经由第一栅极绝缘膜，在位于具有半导体基底材料SB、绝缘层BX和半导体层SM的衬底1的SOI区域1A中的半导体层SM上形成第一栅电极，经由第二栅极绝缘膜，在位于体区1B的...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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