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本公开提供一种用于预测PMOS元件NBTI寿命的半导体元件测试方法与半导体元件测试系统。半导体元件测试方法包括：提供多个相同的PMOS元件；在预设温度下对第n个所述PMOS元件的栅极多次施加时长不同的第n个预设负偏压，以获取多个预设负偏压下...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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