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本公开提供了一种混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在所述势垒层上面；栅绝缘介...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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