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本发明公开了一种三维存储器及其制作方法。所述三维存储器包括：堆栈层，包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层，所述堆栈层包括存储阵列区，所述存储阵列区包括纵向贯穿所述存储阵列区的存储串沟道结构和栅极线狭缝；位于所述堆栈层外围的贯穿阵列区，所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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