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一种晶体管的制作方法及全包围栅极的器件结构,包括:基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底;在顶层衬底形成源极区和漏极区,在源极区和漏极区之间形成沟道区,源极区至漏极区的方向为第一方向,垂直第一方向为第二方向;在第二方向上,沟道区两侧...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司授权不得商用。
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一种晶体管的制作方法及全包围栅极的器件结构,包括:基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底;在顶层衬底形成源极区和漏极区,在源极区和漏极区之间形成沟道区,源极区至漏极区的方向为第一方向,垂直第一方向为第二方向;在第二方向上,沟道区两侧...