温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种减少使用两步沉积工艺制造的量子信息处理器件中的结的结电阻变化的方法。在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板(208)；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层(210)；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层(212)；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗...
该专利属于谷歌有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过谷歌有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。