减少两步沉积工艺中的结电阻变化制造技术

一种减少使用两步沉积工艺制造的量子信息处理器件中的结的结电阻变化的方法。在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板(208)；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层(210)；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层(212)；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层(214)。第一抗蚀剂层包括延伸穿过第一抗蚀剂层的厚度的第一开口(216)，第二抗蚀剂层包括在第一开口之上对准并延伸穿过第二抗蚀剂层的厚度的第二开口(218)，第三抗蚀剂层包括在第二开口之上对准并延伸穿过第三抗蚀剂层的厚度的第三开口(220)。

Reducing the change of junction resistance in two-step deposition process

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减少两步沉积工艺中的结电阻变化
本公开涉及减少两步沉积工艺中的结电阻变化。
技术介绍
量子计算是一种相对新的计算方法，其利用量子效应诸如基态和纠缠的叠加以比传统的数字计算机更有效地执行某些计算。与以位(例如“1”或“0”)的形式存储和操纵信息的数字计算机相反，量子信息处理器件能够使用量子位(qubit)来操纵信息。量子位可以指能够进行多种状态的叠加(例如处于“0”和“1”状态两者的数据)和/或能够将处于多种状态的数据本身叠加的量子器件。根据常规术语，量子系统中“0”和“1”状态的叠加可以例如表示为α│0>+β│1>。数字计算机的“0”和“1”状态分别类似于量子位的│0>基态和│1>基态。值│α│2表示量子位处于│0>态的概率，而值│β│2表示量子位处于│1>基态的概率。
技术实现思路
通常，本说明书中描述的主题的一个创新方面可以体现为以下方法，该方法包括以下动作：提供电介质基板；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层。第一抗蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n提供电介质基板；/n在所述电介质基板上形成第一抗蚀剂层；/n在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层；以及/n在所述第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层，/n其中所述第一抗蚀剂层包括延伸穿过所述第一抗蚀剂层的厚度的第一开口，所述第二抗蚀剂层包括在所述第一开口之上对准并延伸穿过所述第二抗蚀剂层的厚度的第二开口，所述第三抗蚀剂层包括在所述第二开口之上对准并延伸穿过所述第三抗蚀剂层的厚度的第三开口。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：
提供电介质基板；
在所述电介质基板上形成第一抗蚀剂层；
在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层；以及
在所述第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层，
其中所述第一抗蚀剂层包括延伸穿过所述第一抗蚀剂层的厚度的第一开口，所述第二抗蚀剂层包括在所述第一开口之上对准并延伸穿过所述第二抗蚀剂层的厚度的第二开口，所述第三抗蚀剂层包括在所述第二开口之上对准并延伸穿过所述第三抗蚀剂层的厚度的第三开口。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每个的所述厚度沿着垂直于所述电介质基板的表面的第一方向延伸，
所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每个具有沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的相应宽度，以及
所述第二开口的所述宽度小于所述第一开口的所述宽度且小于所述第三开口的所述宽度。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一抗蚀剂层中的所述第一开口和所述第三抗蚀剂层中的所述第三开口通过以第一图案曝光所述第一抗蚀剂层、所述第二抗蚀剂层和所述第三抗蚀剂层来限定，所述第二抗蚀剂层中的所述第二开口通过以第二图案曝光所述第一抗蚀剂层、所述第二抗蚀剂层和所述第三抗蚀剂层来限定，其中所述第一抗蚀剂层、所述第二抗蚀剂层和所述第三抗蚀剂层随后被显影。


4.根据权利要求2所述的方法，包括：
通过所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口以相对于所述基板的第一沉积角度沉积第一材料层；
通过所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口以相对于所述基板的第二沉积角度沉积第二材料层。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一材料层和所述第二材料层是超导材料。


6.根据权利要求4所述的方法，还包括在沉积所述第二材料层之前对所述第一材料层进行表面氧化以提供所述第一材料层的氧化区域。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一材料层的一部分、所述氧化区域的一部分以及所述第二材料层的一部分形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：BJ伯克特，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US