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一种三维半导体存储装置包括：衬底，其包括单元阵列区和连接区；堆叠结构，其包括依次堆叠在衬底上的下堆叠结构和上堆叠结构，其中，堆叠结构包括交替且垂直地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；垂直结构，其位于穿透单元阵列区上的下堆叠结构和上堆叠结构的沟道孔...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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