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本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中，制备方法包括提供衬底，在衬底的一侧依次形成牺牲层与叠层结构。形成贯穿叠层结构与牺牲层的多个NAND串。形成贯穿叠层结构的虚拟栅缝隙与多个栅缝隙，定义多个栅缝隙的排列方向为第一方向，虚拟栅缝...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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