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本发明公开了一种漏磁检测缺陷边沿识别的方法，包括：获取不同提离值下的缺陷漏磁场切向分量；获取各组缺陷漏磁场信号的极大值以及对应的切向位置和提离值；对缺陷漏磁场信号的极大值及对应的提离值进行非线性拟合，获得缺陷漏磁场信号极大值与对应的提离值之...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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