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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：堆叠设置的存储电路结构和外围电路结构；存储电路结构包括：第一衬底；位于第一衬底上的叠层结构和覆盖介质层；穿过叠层结构的若干沟道结构；穿过覆盖介质层并延伸至第一衬底的外围导电柱塞；外围电路结构与沟道...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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