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公开了3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括衬底、存储堆叠层、沟道结构、沟道局部触点、缝隙结构和阶梯局部触点。存储堆叠层包括在衬底上方的交错的导电层和介电层。沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠层。沟道局...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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